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電子產(chǎn)品高溫老化房原理

電子產(chǎn)品在生產(chǎn)制造時(shí),因設(shè)計(jì)不合理、原材料或工藝措施方面的原因引起產(chǎn)品的質(zhì)量問(wèn)題有兩類(lèi),*類(lèi)是產(chǎn)品的性能參數(shù)不達(dá)標(biāo),生產(chǎn)的產(chǎn)品不符合使用要求;第二類(lèi)是潛在的缺陷,這類(lèi)缺陷不能用一般的測(cè)試手段發(fā)現(xiàn),而需要在使用過(guò)程中逐漸地被暴露,如硅片表面污染、組織不穩(wěn)定、焊接空洞、芯片和管殼熱阻匹配不良等等。一般這種缺陷需要在元器件工作于額定功率和正常工作溫度下運(yùn)行一千個(gè)小時(shí)左右才能全部被激活(暴露)。顯然,對(duì)每只元器件測(cè)試一千個(gè)小時(shí)是不現(xiàn)實(shí)的,所以需要對(duì)其施加熱應(yīng)力和偏壓,例如進(jìn)行高溫功率應(yīng)力試驗(yàn),來(lái)加速這類(lèi)缺陷的提早暴露。也就是給電子產(chǎn)品施加熱的、電的、機(jī)械的或多種綜合的外部應(yīng)力,模擬嚴(yán)酷工作環(huán)境,消除加工應(yīng)力和殘余溶劑等物質(zhì),使?jié)摲收咸崆俺霈F(xiàn),盡快使產(chǎn)品通過(guò)失效浴盆特性初期階段,進(jìn)入高可*的穩(wěn)定期。

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